최창환 교수 연구팀이 반도체 미세화를 극복할 수 있는 다기능 및 저전력 가능한 3차원 집적 공정을 개발하여 반도체 분야 최고 권위학회인 "국제전자소자학회 (International Electron Devices Meeting, IEDM)"에 해당 내용을 발표했습니다. IEDM은 세계 3대 반도체 학술대회 중 하나로, "반도체 분야의 올림픽"이라는 별칭이 있을 만큼 해당 학회에서 발표되는 논문 수가 그 국가의 반도체 기술 수준을 평가하는 지표가 되기도 합니다. 2020년 IEDM 학회는 국내 대학으로는 "한양대 (신소재)- 로직 및 파운드리 응용, 서울대 (전자) - 센서 응용, KAIST (전자) - 플래시 메모리 응용, 포항공대 (신소재) - 저항성 메모리 응용" 에서만 논문이 발표되었습니다. 

제시된 3차원 집적 공정은 Monolithic 3D Integration (M3D)으로 기존 TSV (Through Silicon Via) 보다 배선 길이와 면적 감소의 장점으로 소비전력과 다양한 기능의 반도체 소자를 집적할 수 있을 기술입니다. 특히, 수소 이온을 활용한 "이온-컷" 기술을 제안하여 기존 프랑스 CEA-LETI, 대한 TSRI과 다른 차별성으로 효율적인 공법으로 평가 받습니다. 하부 기판에 CMOS 소자로 current sensor와 ring oscillator를 만들고 상부 기판으로 70nm 두께의 단결정 Si를 이온 컷 기술로 형성 후 광다이오드와 저항성 메모리 소자를 제작하여 M3D 기술의 동작 유무를 확인하였습니다. 

관련된 신문 기사 내용을 아래와 같이 첨부합니다.

https://www.etnews.com/20201218000074 

http://www.epnc.co.kr/news/articleView.html?idxno=111707 

http://www.veritas-a.com/news/articleView.html?idxno=349986 

http://news.unn.net/news/articleView.html?idxno=501673 

http://www.lecturernews.com/news/articleView.html?idxno=57918 

http://www.spotlightuniv.com/archives/3143 

https://www.newshyu.com/news/articleView.html?idxno=1001088