최창환 교수님 연구실에서 반도체 분야의 세계적인 학술대회인 "IEEE Symposia on VLSI Technology and Circuits"에서 V-NAND Flash 메모리 소자의 고단화 시 발생되는 문제를 해결할 수 있는 강유전체 신소재와 이를 활용한 소자 특성 연구 결과를 발표 하였고, 특히, 13개 highlight 논문 중 하나로 선정되어 주목을 받았습니다. 이번에 국내 대학에서는 2개만 (KAIST 전기 및 전자공학부, 한양대 신소재공학부) 선정되었는데 그 중 하나가 한양대에서 발표한 논문입니다. 향후 3차원 낸드 플래시 메모리 소자의 문제점을 해결할 수 있는 기술로 많은 기대를 받고 있으며 국내 반도체 회사에서도 많은 관심을 보이고 있습니다. 관련 내용에 대한 국내외 기사를 링크를 첨부합니다.

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https://www.fnnews.com/news/202006301127470758

https://www.etnews.com/20200626000120

​http://www.dhnews.co.kr/news/articleView.html?idxno=124776

http://news.unn.net/news/articleView.html?idxno=231666

http://www.veritas-a.com/news/articleView.html?idxno=329872

https://www.electronicdesign.com/technologies/analog/article/21133379/ieees-twofer-deal-two-virtual-symposia-on-vlsi-technology-circuits-for-one-fee

https://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/1259604.html 

학회 media press에 소개된 link. 2020 Symposia tipsheet에 highlight 논문 내용이 소개 되었습니다. [2020 Symposia Tip Sheet 참조]

​https://vlsisymposium.org/press-2/#ui-id-1​​